BSP315PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP315PH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP88H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ פעיל
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSP315PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] 6 ohm typical at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge]
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (junction) —
מארז PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Configuration — Single
טמפרטורת פעולה — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר