BSR802NL6327HTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSR802NL6327HTSA1 द्वारा Infineon और BSP316PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSR802NL6327HTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| पैकेज | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| पिन काउंट | 3 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C (junction) |
| पिन की संख्या | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |