BSR802NL6327HTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR802NL6327HTSA1 tarafından Infineon ve BSP316PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSR802NL6327HTSA1 BSP316PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Paket PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Qualification Automotive —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Pin Sayısı 3 —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
Pin Sayısı — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
MSL Seviyesi — 1
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin