BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002LT1G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS123NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और 2N7002LT1G द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS123NH6327XTSA1 | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | onsemi (ON Semiconductor) |
| Part Number | BSS123NH6327XTSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 6 Ω @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | ±20 V | — |
| पैकेज | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (TO-236) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free lead plating) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 60 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 115 mA (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 225 mW (Ta) |
| Maximum RDS(on) | — | 7.5 ohm @ VGS = 5 V |
| Configuration | — | Single FET |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| श्रेणी | — | Small Signal MOSFET |
| Technology | — | MOSFET |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: packaging type] |