BSS192PH6327FTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS192PH6327FTSA1 द्वारा Infineon और BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS192PH6327FTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | P-Channel | N-Channel enhancement-mode |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 1 W (Ta) | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8 V, 10 V | — |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] | — |
| Vgs(th) (Max) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] | — |
| Vgs(th) (Typ) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] | — |
| पैकेज | PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per distributor listing) | AEC-Q101 qualified |
| Series | SIPMOS Small-Signal-Transistor | — |
| Part Status | Active | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |