BSS192PH6327FTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS192PH6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSS87H6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS192PH6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 250 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 1 W (Ta) —
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.8 V, 10 V —
Rds On (Max) @ Id, Vgs [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs] —
Vgs(th) (Max) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max] —
Vgs(th) (Typ) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ] —
Paket PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp] -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification AEC-Q101 (per distributor listing) AEC-Q101 qualified
Series SIPMOS Small-Signal-Transistor —
Part Status Active —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet] Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
Continuous Drain Current (ID) — 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Pin Sayısı — 3 (Gate / Drain / Source)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Process Technology — Vertical DMOS

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin