BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS606NH6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर BSS606NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
पैकेज PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL स्तर 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (junction)
पिन काउंट — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

डेटाशीट और संसाधन

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