BSS606NH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS606NH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS87H6327FTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS606NH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1 W (Ta)
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
بسته‌بندی PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
تعداد پایه — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت