EP3SE260F1152C4 vs EP3SE260F1152C3N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260F1152C4 द्वारा Intel और EP3SE260F1152C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260F1152C4 EP3SE260F1152C3N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Series Stratix III E (Enhanced) Stratix III E
Family Stratix III —
Logic Elements (LE) 255,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 10,200 10,200
Embedded Memory Bits 16,672,768 16,672,768 bits
User I/O Count 744 744
Process Technology 65 nm CMOS (TSMC) 65 nm
Core Voltage 1.1 V 1.1 V
Speed Grade C4 (slowest commercial grade) —
Maximum Internal Frequency ~450 MHz (per FPGAkey listing) —
पैकेज 1152-pin FC-FBGA (Flip-Chip Fine-pitch BGA) 1152-BBGA, FCBGA
Package Code BGA, square —
I/O Standards Supported LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL —
Configuration Modes Passive Serial, Fast Passive Parallel, JTAG AS, AP, PS, FPP, JTAG
DSP Blocks (18x18 Multipliers) 384 —
PLL Count [DATA_NEEDED: PLL count] —
Transceivers External PHY interface only (no integrated GXB) Integrated high-speed transceivers
RoHS स्थिति Compliant (per distributor listings) Compliant
ऑपरेटिंग तापमान Commercial (0C to +85C) - inferred from speed grade C4 0 C to +85 C (Commercial)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
Logic Elements / Cells — 255,000
DSP Blocks — Yes (dedicated multiplier/accumulator)
Embedded Memory Type — TriMatrix (true dual-port, FIFO, ROM, RAM)
External Memory Support — DDR3, DDR2, QDR II+, RLDRAM II
Partial Reconfiguration — Supported
Programmable Power Technology — Yes (up to 50% dynamic power reduction)

डेटाशीट और संसाधन

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