EP3SE260H780C3 vs EP3SE260H780C3N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C3 द्वारा Intel और EP3SE260H780C3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Intel
EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C3N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Device Family Stratix III Enhanced (Stratix III E) —
Series EP3SE Stratix® III E
Logic Elements 255,000 —
Logic Array Blocks (LABs) 10200 —
Embedded Memory 16,672,768 bits (16.67 Mbit) —
User I/Os 488 488
Operating Voltage (Core) 0.9 V —
Operating Voltage (Auxiliary) 1.1 V —
Process Technology 65 nm CMOS 40 nm CMOS
Speed Grade C3 —
ऑपरेटिंग तापमान Commercial, 0C to +85C 0 °C to +85 °C (C grade, commercial)
Maximum Core Frequency 500 MHz [DATA_NEEDED: maximum core frequency MHz]
पैकेज 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip 780-BBGA, FCBGA (H780)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 3 (168 hours) [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020]
Packaging Type Tray —
Configuration Memory Support Fast passive parallel, JTAG, Active Serial —
RoHS स्थिति Compliant (per product listings) Compliant (lead-free 'N' suffix)
Logic Elements (LE) — 255,000
Embedded Memory (bits) — 16,672,768
Number of LABs/CLBs — 10,200
Number of Pins / Balls — 780
Supply Voltage (VCCINT) — [DATA_NEEDED: VCCINT nominal V]
Transceivers — [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers and max data rate]
DSP Blocks — [DATA_NEEDED: number of DSP blocks and precision]
Configuration Method — SRAM-based, configured via JTAG / passive / active serial / fast passive parallel
Design Toolchain — Altera Quartus II (legacy); Intel Quartus Prime

डेटाशीट और संसाधन

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