EP3SE260H780C4L vs EP3SE260H780C3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C4L द्वारा Intel और EP3SE260H780C3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Intel
EP3SE260H780C3 EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 - Stratix III E FPGA 255K LE, 488 I/O | Intel

EP3SE260H780C3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE260H780C4L EP3SE260H780C3
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Family Stratix III E —
Logic Elements 255,000 255,000
LABs/CLBs 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 (16.7 Mbit) —
User I/O Count 488 —
पैकेज 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm) 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip
Speed Grade C4 (middle/slow tier) C3
Core Voltage 0.9 V (nominal) —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान 0C to +85C (commercial) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (flip-chip BGA) Surface Mount (BGA)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free per datasheet) Compliant (per product listings)
Transceivers Up to 24 multi-gigabit transceivers —
Memory Interface DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers —
Configuration Mode PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ —
Device Family — Stratix III Enhanced (Stratix III E)
Series — EP3SE
Logic Array Blocks (LABs) — 10200
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
User I/Os — 488
Operating Voltage (Core) — 0.9 V
Operating Voltage (Auxiliary) — 1.1 V
Process Technology — 65 nm CMOS
ऑपरेटिंग तापमान — Commercial, 0C to +85C
Maximum Core Frequency — 500 MHz
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) — 3 (168 hours)
Packaging Type — Tray
Configuration Memory Support — Fast passive parallel, JTAG, Active Serial

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध