EP3SE50F484I4G vs EP3SE50F484I3N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F484I4G द्वारा Intel और EP3SE50F484I3N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE50F484I4G | EP3SE50F484I3N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | NRND |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 47,500 LE | 47,500 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 19,000 ALM | — |
| Embedded Memory | 5.49 Mbit | — |
| User I/Os | 296 I/O | — |
| ऑपरेटिंग सप्लाई वोल्टेज | 1.1 V (core) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (industrial) | -40C to +100C (industrial) |
| Speed Grade | 4 | I3 (industrial, bin 3) |
| माउंटिंग स्टाइल | SMD/SMT | — |
| पैकेज | 484-Ball FCBGA (FineLine BGA) | 484-pin FC-FBGA (flip-chip BGA) |
| Process Technology | 40 nm low-power CMOS | 65 nm |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free 'G' suffix) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Transceiver Count | Up to 12 (Stratix III E family) | [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers] |
| External Memory Support | DDR3, DDR2, QDR II/II+ | — |
| Number of LABs | — | 1,900 |
| Total Memory Bits | — | 5,760,000 |
| Maximum User I/O | — | 296 |
| Number of I/O Banks | — | [DATA_NEEDED: number of I/O banks] |
| Core Voltage VCC | — | 0.9 V |
| Auxiliary Voltage VCCAUX | — | 1.1 V |
| Maximum Internal Frequency | — | 500 MHz |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Configuration Method | — | Active serial (AS), passive serial (PS), JTAG, fast passive parallel (FPP) |
| DSP Blocks | — | [DATA_NEEDED: number of DSP blocks] |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | [DATA_NEEDED: number of 18x18 multipliers] |