EP3SE50F484I4G vs EP3SE50F484I3N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של EP3SE50F484I4G מאת Intel ו EP3SE50F484I3N מאת Intel. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | EP3SE50F484I4G | EP3SE50F484I3N |
|---|---|---|
| מותג | Intel | Intel |
| קטגוריה | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| סטטוס מחזור חיים | NRND | NRND |
| Family | Stratix III E | Stratix III E |
| Logic Elements | 47,500 LE | 47,500 |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | 19,000 ALM | — |
| Embedded Memory | 5.49 Mbit | — |
| User I/Os | 296 I/O | — |
| מתח אספקה פעיל | 1.1 V (core) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +100C (industrial) | -40C to +100C (industrial) |
| Speed Grade | 4 | I3 (industrial, bin 3) |
| סגנון הרכבה | SMD/SMT | — |
| מארז | 484-Ball FCBGA (FineLine BGA) | 484-pin FC-FBGA (flip-chip BGA) |
| Process Technology | 40 nm low-power CMOS | 65 nm |
| סטטוס RoHS | Compliant (lead-free 'G' suffix) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Transceiver Count | Up to 12 (Stratix III E family) | [DATA_NEEDED: number of embedded transceivers] |
| External Memory Support | DDR3, DDR2, QDR II/II+ | — |
| Number of LABs | — | 1,900 |
| Total Memory Bits | — | 5,760,000 |
| Maximum User I/O | — | 296 |
| Number of I/O Banks | — | [DATA_NEEDED: number of I/O banks] |
| Core Voltage VCC | — | 0.9 V |
| Auxiliary Voltage VCCAUX | — | 1.1 V |
| Maximum Internal Frequency | — | 500 MHz |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount (BGA) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (N suffix) |
| Configuration Method | — | Active serial (AS), passive serial (PS), JTAG, fast passive parallel (FPP) |
| DSP Blocks | — | [DATA_NEEDED: number of DSP blocks] |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | [DATA_NEEDED: number of 18x18 multipliers] |