EP3SE50F780C4N vs EP3SE110F780C4LN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F780C4N द्वारा Intel और EP3SE110F780C4LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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EP3SE110F780C4LN EP3SE110F780C4LN - Stratix III E FPGA, 488 I/O, 780-FBGA | Intel

EP3SE110F780C4LN - Stratix III E FPGA, 488 I/O, 780-FBGA | Intel

EP3SE110F780C4LN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F780C4N EP3SE110F780C4LN
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Family Stratix III E Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 107,500
Embedded Memory Bits 5,760,000 —
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) 488 (per family datasheet) —
Number of LABs 1900 —
Maximum User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 432 —
PLLs 12 (per family datasheet) —
Maximum Operating Frequency 717 MHz —
Transceiver Channels Up to 12 (per family, model-dependent) —
Transceiver Data Rate Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family) —
Process Node 40 nm —
पैकेज 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch 780-BBGA, FCBGA (Fine-pitch)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (SMT)
सप्लाई वोल्टेज Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (C4 commercial grade) 0C to +85C (Commercial)
Configuration Modes JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel —
RoHS स्थिति Lead-free / RoHS compliant —
MSL स्तर 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package) 3 (per JEDEC J-STD-020)
Hard Memory Controller DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family) —
Logic Array Blocks (LABs) — 4,300
Embedded Memory — 8,936,448 bits
User I/O Pins — 488
Supply Voltage Core — 0.9 V (typical)
Speed Grade — C4
Lead-Free / RoHS — Yes (N suffix)
Process Technology — 40 nm TSMC
DSP Blocks — Yes (18x18 multipliers)
Tray Packaging — Yes (per distributor listings)

डेटाशीट और संसाधन

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