EP3SL50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LN तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SL50F780C4LN द्वारा Intel और EP3SE50F780C4LN द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Intel
EP3SE50F780C4LN EP3SE50F780C4LN - 47.5K LE Stratix III E FPGA 780-FBGA | Intel

EP3SE50F780C4LN - 47.5K LE Stratix III E FPGA 780-FBGA | Intel

EP3SE50F780C4LN ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SL50F780C4LN EP3SE50F780C4LN
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND सक्रिय
Series Stratix III L —
Family Stratix III L (Low-Power) Stratix III E
Logic Elements (LE) 47,500 —
Logic Array Blocks (LAB) 1,900 —
Total RAM Bits 2,184,192 —
User I/O Pins 488 —
पैकेज 780-BBGA, FCBGA (29x29 mm) 780-ball FC-FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (BGA)
Process Technology 65 nm —
Core Voltage (VCCINT) 0.86 V to 1.15 V —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (Commercial) 0°C to 85°C (Commercial)
Speed Grade C4 C4
Lead-Free / RoHS Yes (LN suffix indicates lead-free, enhanced) Yes (L suffix)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Transceivers [DATA_NEEDED: number of integrated transceivers for F780 package] —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count for EP3SL50] Yes (embedded multipliers)
Configuration SRAM-based, configured via Quartus II —
Logic Elements — 47,500
LABs (Logic Array Blocks) — 1,900
Embedded Memory — 5,760,000 bits
User I/Os — 488
Process Node — 65 nm
Core Voltage — 0.9 V
Maximum Toggle Frequency — 375 MHz
Configuration Modes — Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG
Block RAM Type — M9K + M144K
Memory Architecture — SRAM-based, reprogrammable
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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