FDD8880 vs FDD8896 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना FDD8880 द्वारा onsemi और FDD8896 द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ अंतिम खरीद
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FDD8896 FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर FDD8880 FDD8896
ब्रांड onsemi onsemi
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति अंतिम बार खरीदें उत्पादन बंद
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 13 A (Ta), 58 A (Tc) —
On-Resistance (rDS(on)) 9 mOhm max —
Total Power Dissipation (PD) 55 W (Tc) —
Technology PowerTrench PowerTrench (trench MOSFET)
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Threshold Voltage (VGS th) [DATA_NEEDED: threshold voltage] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] —
लाइफसाइकिल स्थिति Last Shipments —
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel PowerTrench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: Vgs Max]
पिन काउंट — 3
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (now onsemi)
Packing — Tape & Reel (T/R)

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