FDD8880 vs FDD8896 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של FDD8880 מאת onsemi ו FDD8896 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

onsemi
FDD8880 FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 - 30V 58A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi

FDD8880 ⚠ רכישה אחרונה

השוואת מפרטים

פרמטר FDD8880 FDD8896
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים רכישה אחרונה סוף חיים
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 13 A (Ta), 58 A (Tc) —
On-Resistance (rDS(on)) 9 mOhm max —
Total Power Dissipation (PD) 55 W (Tc) —
Technology PowerTrench PowerTrench (trench MOSFET)
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Configuration Single FET Single FET
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Threshold Voltage (VGS th) [DATA_NEEDED: threshold voltage] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance] —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
סטטוס מחזור חיים Last Shipments —
סוג טרנזיסטור — N-Channel PowerTrench MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 17 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 94 A
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) — 5.7 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 80 W
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: Vgs Max]
מספר פינים — 3
Typical Application — DC/DC converters, synchronous PWM controllers
Manufacturer — Fairchild Semiconductor (now onsemi)
Packing — Tape & Reel (T/R)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר