H5ANAG8NAMR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG8NAMR-UHC द्वारा SK hynix और H5ANAG8NCJR-XNC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $65.63
Manufacturer SK Hynix —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
संगठन 2G x 8 2G x 8
डेटा दर DDR4-2400 (2400 MT/s) 3200 MT/s (DDR4-3200)
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
पैकेज FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
इंटरफ़ेस Parallel, DDR4 —
Bank Group Architecture DDR4 bank-group architecture —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4) [DATA_NEEDED: refresh specification]
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free FBGA package) Compliant
Applications Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

डेटाशीट और संसाधन

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