H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-PBL द्वारा SK hynix और K4B4G1646D-BCK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb (256M x 16) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| डेटा दर | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| पैकेज | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS लेटेंसी | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 95°C (Tcase) |