H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-PBL بواسطة SK hynix و K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gb (256M x 16) | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| معدل البيانات | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C (Tcase) |