H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63CFR-PBL بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gb (256M x 16) | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| CAS لیٹنسی | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| تنظیم | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 95°C (Tcase) |