H5TC4G63CFR-PBL vs K4B4G1646D-BCK00 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng H5TC4G63CFR-PBL sa pamamagitan ng SK hynix at K4B4G1646D-BCK00 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | H5TC4G63CFR-PBL | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Brand | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gb (256M x 16) | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Rate ng Data | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1600 Mbps/pin |
| Packhaging | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Terminal Form | BALL | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| Latensya ng CAS | 11, 12, 13 | 11 (at 1600 Mbps) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Refresh Period | 7.8 us at 85C | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to 95°C (Tcase) |