IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC120N06S5L015ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC41N06S5N102ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W 42 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (Tj) -55C to +175C (junction)
पैकेज PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Channel Polarity — N-Channel (single)

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