IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC120N06S5L015ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 235 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg, typ) 88 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 167 W 42 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (Tj) -55C to +175C (junction)
Paket PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount (exposed pad) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions VGS = 10 V, ID = 50 A —
Typical Application Automotive DC-DC, battery switches, motor drives —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Channel Polarity — N-Channel (single)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin