IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L013ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7L013ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |