IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7L013ATMA1 توسط Infineon و IAUCN08S7L033ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUCN08S7L013ATMA1 | IAUCN08S7L033ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on) max) | 1.26 mΩ | — |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] | — |
| Continuous Drain Current (TJ) | 293 A | — |
| Power Dissipation (TC) | 219 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C | -55°C to +175°C (TJ) |
| بستهبندی | PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (suffix ATMA1) | — |
| Series | — | Automotive OptiMOS 7 |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.3 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 130 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 118 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) |
| Technology | — | OptiMOS 7 trench MOSFET |