IAUCN08S7L013ATMA1 vs IAUCN08S7L033ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L013ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN08S7L033ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Maximum On-Resistance (RDS(on) max) 1.26 mΩ —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) [DATA_NEEDED: continuous drain current at TC=25C] —
Continuous Drain Current (TJ) 293 A —
Power Dissipation (TC) 219 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C (TJ)
Paket PG-TDSON-8-53 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Automotive Grade (per Infineon datasheet header)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (suffix ATMA1) —
Series — Automotive OptiMOS 7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.3 mΩ
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 118 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit)
Technology — OptiMOS 7 trench MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin