IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7N024ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 - 80V 165A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN08S7N024ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon

IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) OptiMOS™ 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Technology OptiMOS 7 trench Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
पैकेज PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C (typical automotive) —
पावर डिसिपेशन (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
RoHS Compliance Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
RoHS स्थिति — Compliant

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