IAUCN08S7N024ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7N024ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L050HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7N024ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series Automotive OptiMOS 7 (80 V) OptiMOS™ 7
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 165 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 2.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Technology OptiMOS 7 trench Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
Paket PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (typical automotive) —
Güç Tüketimi (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Typical Application 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch —
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin