IGK120B041SXTSA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IGK120B041SXTSA1 द्वारा Infineon और IGLR70R200D2SXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IGK120B041SXTSA1 | IGLR70R200D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) | CoolGaN G5 |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) on Silicon | GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode) |
| Generation | G3 (medium-voltage) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel, Monolithic Bidirectional | — |
| Drain-Source Voltage (VDS, max) | 40 V (symmetric, both polarities) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 30 A | 9.3 A |
| Power Dissipation (Tc) | 15 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 1.2 W | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 4.4 nC | 1.26 nC |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] | — |
| Operating Mode | Normally-off | — |
| पैकेज | SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) | PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | -40 °C to +150 °C |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free) | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 700 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 34 W |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 200 mΩ |
| Output Capacitance (Coss) | — | 91 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 0.21 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 1.2 V |
| RoHS | — | Compliant |