IGK120B041SXTSA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IGK120B041SXTSA1 توسط Infineon و IGLR70R200D2SXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IGK120B041SXTSA1 IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 ✓ فعال
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IGK120B041SXTSA1 IGLR70R200D2SXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) CoolGaN G5
Technology Gallium Nitride (GaN) on Silicon GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Generation G3 (medium-voltage) —
نوع ترانزیستور N-Channel, Monolithic Bidirectional —
Drain-Source Voltage (VDS, max) 40 V (symmetric, both polarities) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 9.3 A
Power Dissipation (Tc) 15 W —
Power Dissipation (Ta) 1.2 W —
Total Gate Charge (Qg) 4.4 nC 1.26 nC
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Operating Mode Normally-off —
بسته‌بندی SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
نوع نصب Surface Mount —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] -40 °C to +150 °C
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت