IGK120B041SXTSA1 vs IGLR70R200D2SXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IGK120B041SXTSA1 بذریعہ Infineon اور IGLR70R200D2SXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IGK120B041SXTSA1 IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 - 40V GaN Bidirectional Switch | Infineon

IGK120B041SXTSA1 ✓ فعال
Infineon
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 - 700V 9.3A GaN FET, 200mΩ | Infineon

IGLR70R200D2SXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IGK120B041SXTSA1 IGLR70R200D2SXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN Bidirectional Switch (BDS) CoolGaN G5
Technology Gallium Nitride (GaN) on Silicon GaN HEMT (E-mode, enhancement-mode)
Generation G3 (medium-voltage) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel, Monolithic Bidirectional —
Drain-Source Voltage (VDS, max) 40 V (symmetric, both polarities) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 30 A 9.3 A
Power Dissipation (Tc) 15 W —
Power Dissipation (Ta) 1.2 W —
Total Gate Charge (Qg) 4.4 nC 1.26 nC
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) in mOhm] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Operating Mode Normally-off —
پیکیج SG-UFWLB-16-2 (WLCSP 1.2 x 1.7 mm) PG-TSON-8-8 (surface mount, ThinPAK top-cooled)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range] -40 °C to +150 °C
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 700 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 34 W
On-Resistance (RDS(on), max) — 200 mΩ
Output Capacitance (Coss) — 91 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 0.21 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.2 V
RoHS — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں