IMZ120R080M1H vs C3M0080120D तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IMZ120R080M1H द्वारा Infineon और C3M0080120D द्वारा Wolfspeed. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IMZ120R080M1H | C3M0080120D |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Wolfspeed |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Wolfspeed |
| Product Family | CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) trench MOSFET | Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET, 3rd generation (C3M) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 1200 V | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 80 mOhm at Tj = 25 C | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (benchmark) | — |
| Turn-Off Gate Voltage | 0 V | — |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| माउंटिंग स्टाइल | Through Hole | — |
| पैकेज | PG-TO247-4 | TO-247-3 (through-hole, 3 leads + tab) |
| Robust Body Diode | Yes, supports hard commutation | — |
| Threshold-free On-state | Yes | — |
| Switching Losses | Very low (per datasheet) | — |
| Recommended Operating Margin | <= 80% of maximum ratings | — |
| RoHS | Compliant (per Mouser listing) | — |
| Part Number | — | C3M0080120D |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 1200 V |
| On-Resistance Rds(on) typ | — | 80 mOhm |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 36 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 192 W |
| Gate-Source Voltage (Vgs max) | — | -10 V to +25 V (recommended +15/-3 V) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| माउंटिंग प्रकार | — | Through Hole |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Body Diode | — | Intrinsic, zero reverse recovery (Qrr) |