IMZ120R080M1H vs C3M0080120D موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IMZ120R080M1H بذریعہ Infineon اور C3M0080120D بذریعہ Wolfspeed. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IMZ120R080M1H | C3M0080120D |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Wolfspeed |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Wolfspeed |
| Product Family | CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) trench MOSFET | Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET, 3rd generation (C3M) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 1200 V | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 80 mOhm at Tj = 25 C | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4.5 V (benchmark) | — |
| Turn-Off Gate Voltage | 0 V | — |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | Through Hole | — |
| پیکیج | PG-TO247-4 | TO-247-3 (through-hole, 3 leads + tab) |
| Robust Body Diode | Yes, supports hard commutation | — |
| Threshold-free On-state | Yes | — |
| Switching Losses | Very low (per datasheet) | — |
| Recommended Operating Margin | <= 80% of maximum ratings | — |
| RoHS | Compliant (per Mouser listing) | — |
| Part Number | — | C3M0080120D |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 1200 V |
| On-Resistance Rds(on) typ | — | 80 mOhm |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 36 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 192 W |
| Gate-Source Voltage (Vgs max) | — | -10 V to +25 V (recommended +15/-3 V) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Body Diode | — | Intrinsic, zero reverse recovery (Qrr) |