IPA60R190C6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPA60R190C6XKSA1 द्वारा Infineon और IPB60R190C6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPA60R190C6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +150C |
| पैकेज | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |