IPA60R190C6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPA60R190C6XKSA1 tarafından Infineon ve IPB60R190C6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPA60R190C6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |