IPA60R190C6XKSA1 vs IPB60R190C6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPA60R190C6XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPB60R190C6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPA60R190C6XKSA1 | IPB60R190C6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS C6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 20.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 34 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 190 mOhm at VGS=10V, ID=9.5A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | 3.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-TO220-FP (TO-220 FullPAK, 3+tab) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Tab Isolation | Fully isolated (4 kV) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead Free | Yes | — |
| Technology | — | CoolMOS C6 Superjunction N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20.2 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 151 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 190 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 32 nC |
| پن کی تعداد | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL لیول | — | 1 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |