IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB025N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB107N20N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB025N10N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | 88 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| पैकेज | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| पिन काउंट | — | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |