IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB025N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB107N20N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ פעילInfineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPB025N10N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | 88 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| מארז | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| רמת MSL | 1 (unlimited) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| מספר פינים | — | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |