IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB025N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB107N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB025N10N3GATMA1 - 100V 180A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB025N10N3GATMA1 ✓ AktifInfineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB025N10N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | 88 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 300 W | — |
| RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A | 2.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 2.58 nF | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Paket | PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |
| Pin Sayısı | — | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |