IPB025N10N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng IPB025N10N3GATMA1 sa pamamagitan ng Infineon at IPB107N20N3GATMA1 sa pamamagitan ng Infineon. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro IPB025N10N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Brand Infineon Infineon
Kategorya MOSFETs MOSFETs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 180 A 88 A
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
RDS(on) Typical at VGS=10V, ID=100A 2.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Input Capacitance (Ciss) 2.58 nF —
Gate Charge (Qg) Typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Packhaging PG-TO263-7 (D2PAK-7) 6+Tab PG-TO263-3 (D2PAK)
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount
Hanay ng Temperature na Operasyon -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Level ng MSL 1 (unlimited) —
Tindminan RoHS Compliant Compliant
Wala sa Halogen Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Uri ng Transistor — N-Channel MOSFET
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Bilang ng Pin — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita