IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB70N10S3L12ATMA1 द्वारा Infineon और BSC042NE7NS3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB70N10S3L12ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS (IPB70N10) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 70 A | — |
| Peak Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche Tested | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| MSL स्तर | — | 1 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |