IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPB70N10S3L12ATMA1 توسط Infineon و BSC042NE7NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IPB70N10S3L12ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS (IPB70N10) | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 70 A | — |
| Peak Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 125 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| بسته‌بندی / کیس | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche Tested | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| سطح MSL | — | 1 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |