IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB70N10S3L12ATMA1 tarafından Infineon ve BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB70N10S3L12ATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C —
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Klorürsüz Yes —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Paket — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin