IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon ו BSC042NE7NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB70N10S3L12ATMA1 | BSC042NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS (IPB70N10) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 70 A | — |
| Peak Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 125 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche Tested | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Part Number | — | BSC042NE7NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C |
| מארז | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| רמת MSL | — | 1 |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |