IPD046N08N5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD046N08N5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC0502NSIATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD046N08N5ATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| RoHS स्थिति | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |