IPD046N08N5ATMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD046N08N5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC0502NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD046N08N5ATMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 80V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 80 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 90 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 4.6 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 125 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket / Kas | PG-TO252-3 (DPAK), 3-pin (2 leads + tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| RoHS Durumu | ROHS3 Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3-pin (Gate / Drain tab / Source) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C |
| Paket | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |