IPD180N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD180N10N3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD180N10N3GATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD180N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel power MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 43 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 71 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 18 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (Tj max 175°C) | — |
| Configuration | Single N-channel MOSFET | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | 1 (per Infineon package rating) | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (per Infineon OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज / केस | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |