IPD180N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD180N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC076N04NDATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD180N10N3GATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD180N10N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel power MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 43 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 71 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 18 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge Qg typ @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +175°C (Tj max 175°C) | — |
| Configuration | Single N-channel MOSFET | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (per Infineon package rating) | — |
| ہیلوجن فری | Yes (per Infineon OptiMOS 3 datasheet family) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |