IPD180N10N3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD180N10N3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD180N10N3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD180N10N3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel power MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 43 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) 71 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 18 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Paket PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (Tj max 175°C) —
Configuration Single N-channel MOSFET Dual N-Channel (independent MOSFETs)
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (per Infineon package rating) —
Klorürsüz Yes (per Infineon OptiMOS 3 datasheet family) —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin